杭州某半导体材料IC芯片造成厂，晶圆工作环节中存在含硅、氟的个性化污废水净化处理手段 ，设汁加工数量1200吨/日。污废水净化处理手段 部分较为复杂，有效纳米级级硅颗粒状及氢佛酸，传统的加工手段不易于达到。 电镀废水成分表及起源 核心严重工业废气 ：电解质溶液硅（100-500nm粒级）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 來源步骤 ：晶圆刻蚀废污水（45%）、CMP检查是否机械装备镜面抛光废污水（40%）、系统清洗道路水（15%） 治理 施工工艺步骤 全新选取"电化学沉定+特中膜分离处理"工艺的路线： 钙盐沉淀出的 ：加药氯化钙祛除氟阳离子（转成CaF2发展） 斜管沉淀池作用 ：塑料二沉池剂推动电解质溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm粒径膜公款私存微细颗粒物 反构建软件系统 ：脱盐率>98%，回收并率75% 化掉析出 ：浓水段实行氟化物污水处理技术量 终结功能 氟化物密度：<8mg/L（降到国三级规定10mg/L） 硅含碳量：<5mg/L 水影视资源循环率：70%使用在冷去塔补水保湿 危险废物减轻药量：蒸发器渣子量较传统的方法抑制60%